MOSFET INFINEON CANALE N 8 mO, 110 AMPER TO247AC, SU FORO

MOSFET INFINEON CANALE N 8 mO, 110 AMPER TO247AC, SU FORO
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.


Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo
Valore
Tipo di canale N
Corrente massima continuativa di drain 110 A
Tensione massima drain source 55 V
Tipo di package TO247AC
Tipo di montaggio Su foro
Numero pin 3
Resistenza massima drain source 8 mO
Modalità del canale Enhancement
Tensione di soglia gate massima 4V
Tensione di soglia gate minima 2V
Dissipazione di potenza massima 200 W
Configurazione transistor Singolo
Tensione massima gate source -20 V, +20 V
Materiale del transistor Si
Larghezza 5.3mm
Lunghezza 15.9mm
Massima temperatura operativa +175 °C
Carica gate tipica @ Vgs 170 nC a 10 V
Numero di elementi per chip 1
Altezza 20.3mm
Serie HEXFET
Minima temperatura operativa -55 °C